硒化鍺

概述分類參考文獻

中文名稱	硒化鍺
中文同義詞	硒化鍺(II);硒化鍺;硒化鍺GESE;一硒化鍺;4N硒化鍺;5N硒化鍺;6N硒化鍺;硒化鍺4N-6N
英文名稱	GERMANIUM SELENIDE
英文同義詞	germaniumselenide(gese);GERMANIUM SELENIDE;GERMANIUM(II) SELENIDE, 99.999%;Germanium(IV)diselenide;Germanium(II) selenide(GeSe);Germanium Selenide Powder
CAS號	12065-10-0
分子式	GeSe
分子量	151.6
EINECS號	235-061-4
相關(guān)類別	原料;Chalcogenides;Materials  Science;Metal  and  Ceramic  Science
Mol文件	12065-10-0.mol
結(jié)構(gòu)式

硒化鍺 性質(zhì)

硒化鍺 用途與合成方法

概述

硒化鍺一種正交晶系離子性晶體，具有穩(wěn)定的半導體性能。硒化鍺可由GeCl2與H2Se反應(yīng)可制得。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。

圖：硒化鍺

分類

根據(jù)晶型結(jié)構(gòu)分類，可分為：α-GeSe β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化鍺五種單層晶型，它們均表現(xiàn)出穩(wěn)定的半導體特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe晶型結(jié)構(gòu)是間接帶隙半導體材料,而α-GeSe是直接帶隙半導體. β-GeSe單層材料適用于光催化分解水。

參考文獻

[1]  http://www.chazidian.com/baike/477878/
[2] 張勝利, 劉尚果, 黃世萍,等. 單層硒化鍺多形體的結(jié)構(gòu)特性和電子性質(zhì)[J]. Science China Materials, 2015(12).

生產(chǎn)方法 

由GeCl2與H2Se反應(yīng)可制得GeSe。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。

安全信息

MSDS信息

硒化鍺 上下游產(chǎn)品信息

上游原料

硒硒化氫鍺