氧化鎵

簡介性能應用制備方法 用途與合成方法 MSDS 氧化鎵價格(試劑級) 上下游產(chǎn)品信息 價格 專題

中文名稱	氧化鎵
中文同義詞	氧化鎵(IV), 99.999% (METALS BASIS);氧化鎵 (METALS BASIS);氧化鎵(III);氧化鎵, 99.999% (METALS BASIS);氧化鎵, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS);氧化鎵, 99.995% (METALS BASIS);氧化鎵, 99.99% (METALS BASIS);氧化鎵, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS)
英文名稱	Gallium(III) oxide
英文同義詞	galliumtrioxide;Gallium(III) oxide (99.999% Ga) PURATREM;Galliumoxidewhitepowder;GalliuM(III) oxide >=99.99% trace Metals basis;Gallium(III) oxide (Ga2O3);Gallium(III) oxide, 99.999% trace metals basis;Gallium(Ⅲ) oxide;GalliuM(Ⅵ) oxide
CAS號	12024-21-4
分子式	Ga2O3
分子量	187.44
EINECS號	234-691-7
相關(guān)類別	生化試劑-其他化學試劑;催化劑;鎵;生化試劑;稀土;催化和無機化學;常規(guī)氧化物粉體-氧化鎵;原料;稀土氧化物;精細化工原料;化工原料;氧化物;Catalysis  and  Inorganic  Chemistry;Chemical  Synthesis;Gallium;GalliumMetal  and  Ceramic  Science;Oxides;metal oxide;無機化工原料
Mol文件	12024-21-4.mol
結(jié)構(gòu)式

氧化鎵 性質(zhì)

氧化鎵 用途與合成方法

簡介

氧化鎵是一種寬禁帶半導體，禁帶寬度Eg＝4．9eV，其導電性能和發(fā)光特性良好，因此，其在光電子器件方面有廣闊的應用前景，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。這些是氧化鎵的傳統(tǒng)應用領(lǐng)域，而其在未來的功率、特別是大功率應用場景才是更值得期待的。

性能

Ga 2 O 3 是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導體化合物。其結(jié)晶形態(tài)截至目前已確認有α、β、γ、δ、ε五種，其中，β結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定。與Ga 2 O 3 的結(jié)晶生長及物性相關(guān)的研究大部分圍繞β結(jié)構(gòu)展開。研究人員曾試制了金屬半導體場效應晶體管，盡管屬于未形成保護膜鈍化膜的簡單結(jié)構(gòu)，但是樣品已經(jīng)顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結(jié)構(gòu)的元件時，通常難以達到這些樣品的指標。

應用

氧化鎵是一種新興的功率半導體材料，其禁帶寬度大于硅，氮化鎵和碳化硅，在高功率應用領(lǐng)域的應用優(yōu)勢愈加明顯。但氧化鎵不會取代SiC和GaN，后兩者是硅之后的下一代主要半導體材料。 氧化鎵更有可能在擴展超寬禁帶系統(tǒng)可用的功率和電壓范圍方面發(fā)揮作用。而最有希望的應用可能是電力調(diào)節(jié)和配電系統(tǒng)中的高壓整流器，如電動汽車和光伏太陽能系統(tǒng)。

制備方法

氧化鎵制備主流方法：

按β-Ga2O3照晶體生長過程中原料狀態(tài)的不同，可以將晶體生長方法分為：溶液法、熔體法、氣相法、固相法等。熔體法是研究最早也是應用最為廣泛的晶體生長方法，也是目前生長β-Ga2O3體塊單晶常用的方法。通過熔體法可以生長高質(zhì)量、低成本的β-Ga2O3體塊單晶，其中最為常用的生長方法主要有兩種：提拉法和導模法。

用途 

氧化鎵可以作為科研試劑,用于生化研究；可用于Ga基半導體材料的絕緣層以及紫外線濾光片；可用作半導體材料，用于光譜分析測定鈾中雜質(zhì)；它也可以用來制取釓鎵石榴石、催化劑、化學試劑等 ,制備 Sr2CuGaO3S（稀有方錐體鎵的例子）時的原料。

生產(chǎn)方法 

1.向三氯化鎵GaCl3的熱水溶液中加NaHCO3的高濃熱水溶液，煮沸到鎵的氫氧化物全部沉淀出來為止。用熱水洗滌沉淀至沒有Cl-為止，在600℃以上煅燒則得到β-Ga2O3。殘留NH4Cl時，在250℃就和Ga2O3反應，生成揮發(fā)性GaCl3。

2.這是高純Ga2O3的制法。以高純金屬Ga為陽極，溶解于5%～20%H2SO4溶液里，向溶液加氨水，冷卻，將Ga(NH4)(SO4)2反復結(jié)晶，在105℃干燥，在過量氧的條件下在800℃灼燒2h，則得到純度為9999%～99.9999%的產(chǎn)品。

3. 稱取1kg99.9999%的高純鎵放入三頸燒瓶中，加入高純硝酸，使鎵全部溶解，然后過濾，濾液倒入三頸燒瓶中，移至電爐上蒸發(fā)（在通風櫥中進行），濃縮到接近結(jié)晶時，將溶液移置于大號蒸發(fā)皿中蒸發(fā)至干。將蒸干的Ｇａ（ＮＯ３）３放在馬弗爐中進行灼燒，溫度控制在550℃，灼燒５ｈ，待冷卻后取出成品，得１．２ｋｇ高純氧化鎵。

類別

有毒物品

毒性分級

低毒

急性毒性

口服-小鼠LD50: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LD50: 5000 毫克/公斤

儲運特性

庫房通風低溫干燥

滅火劑

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 霧狀水

職業(yè)標準

STEL 3 毫克/立方米

安全信息

MSDS信息

氧化鎵 價格(試劑級)

氧化鎵 上下游產(chǎn)品信息

上游原料

氯化鎵鎵硝酸氫氧化銨硝酸鎵水合物